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IRFS7530TRL7PP  与  IPB016N06L3 G  区别

型号 IRFS7530TRL7PP IPB016N06L3 G
唯样编号 A-IRFS7530TRL7PP A-IPB016N06L3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N Channel 60 V 1.4 mOhm 375 W Surface Mount HexFet Power MosFet - D2PAK-7
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.4mΩ@100A,10V 1.2mΩ
上升时间 - 79ns
Qg-栅极电荷 - 166nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 124S
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 338A 180A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 38ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 28000pF @ 30V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 196µA
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 250W
典型关闭延迟时间 - 131ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 12960pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 354nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 35ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 166nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS7530TRL7PP Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
IRFS7530-7PPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK(7-Lead)

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